Ciclo de Conferencias TecNM/CENIDET 2020

Los dispositivos semiconductores de SiC y GaN en la electrónica de potencia

Los dispositivos electrónicos basados en materiales semiconductores de banda prohibida ancha (wide-bandgap semiconductors) han irrumpido con fuerza en el mundo de la electrónica de potencia en la última década. En esta charla empezaremos por tratar de explicar cuáles son las ventajas y limitaciones que dos de estos materiales (el carburo de silicio, SiC, y el nitruro de galio, GaN) presentan en comparación con el silicio. A continuación pasaremos a describir los dispositivos electrónicos de potencia que han sido desarrollados en la actualidad, explicando por qué además de haberse desarrollados versiones adaptadas de dispositivos habituales en silicio (como diodos y MOSFETs), se han desarrollados otros específicos, como JFETs y HEMTs (High Electron Mobility Transistors), a veces con comportamientos muy distintos a los habituales. Resulta muy importante que estas diferencias sean conocidas y tenidas en cuenta por los diseñadores.

Dr. Javier Sebastián Zúñiga
Universidad de Oviedo, España

Javier Sebastián es Ingeniero Industrial, Especialidad Eléctrica (Intensificación Electrónica y Automática) por la E.T.S.I.I. de la Universidad Politécnica Madrid desde julio de 1981 y Doctor Ingeniero Industrial por la E.T.S.I.I. de Gijón de la Universidad de Oviedo desde junio de 1985. Después de haber desempeñado diversos puestos como profesor no numerario y como profesor numerario en la Universidad Politécnica de Madrid y en la Universidad de Oviedo, es desde 1992 Catedrático de Tecnología Electrónica en el Departamento de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de Computadores y de Sistemas de esta última universidad.

La mayor parte de su currículum investigador gira alrededor de actividades relacionadas con el estudio y diseño de Sistemas Electrónicos de Alimentación. Dicho currículum puede sintetizarse en la participación en alrededor de 65 proyectos y contratos de investigación, en la dirección de 18 tesis doctorales y en la coautoría de 3 patentes y de aproximadamente 450 publicaciones, incluyendo en este caso revistas y congresos

Registro en línea
  https://vc-cudi.zoom.us/j/92770863428
  TecNM/CENIDET
  @TecNMCENIDET

Políticas de privacidad

Los datos solicitados en los FOMULARIOS DE REGISTRO únicamente serán utilizados para establecer comunicación con el usuario y para información estadística del TecNM/CENIDET. Asimismo, los datos que ingresen en el FOMULARIOS DE REGISTRO no serán difundidos, distribuidos o comercializados salvo lo estrictamente señalado en el art. 22 de la Ley Federal de Transparencia y Acceso a la Información Pública Gubernamental.

Dirección

Interior Internado Palmira S/N, Col. Palmira, C.P. 62490
Cuernavaca, Morelos.

Contacto 

Email: contacto@cenidet.tecnm.mx 
Conmutador: 777 362 7770